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​佳能21年来首次新建光刻机工厂,欲将产能翻倍

时间:2022-10-11 阅读次数:1015

转载自 《中国电子报》 2022-10-09

近日,日本佳能公司表示,将投资超500亿日元(约合24.6亿元人民币),在日本栃木县宇都宫市新建半导体设备工厂,占地面积约7万平方米,主要增产光刻设备,建成后预计产能将提高2倍。新工厂计划于2023年开工,2025年春季投入运行,这也是佳能21年来首次扩产半导体光刻机设备。


据悉,佳能目前在宇都宫事务所和阿见事务所等2处工厂内生产半导体光刻设备,主要用于制造汽车控制等的半导体产品。市调组织SEMI的数据显示,2022年第二季度全球半导体设备市场出货264.3亿美元,同比增长6%。为了应对需求的不断增长,佳能一直在积极增产,今年的目标是销售180台光刻设备,将比2021年增加约30%。


此外,佳能还将推进新一代设备的开发。此前,全球最大的光刻机设备供应商荷兰阿斯麦(ASML)首席技术官MartinvandenBrink表示,ASML最新研发的High-NA技术很可能将成为EUV光刻技术的终点。于是更多的企业和大学都在想方设法绕道而行,目前已经有多项技术脱颖而出。像是美国原子级精密制造工具的纳米技术公司ZyvexLabs推出的光刻系统“ZyvexLitho1“,其基于STM扫描隧道显微镜,使用的是EBL电子束光刻方式。此外还有多电子束直写光刻机(MEB)、定向自组装技术(DSA)以及纳米压印技术(NIL)等技术。


其中NIL技术也被视为是最佳替代方案。据了解,NIL技术(纳米压印微影技术)是在一个特殊的“印章”上,先刻上纳米电路图案,然后再将电路图案“压印”在晶圆上,就像盖章一样。由于没有镜头,NIL技术比EUV要省钱很多。根据佳能等厂商发布的消息,NIL的耗电量可压低至EUV生产方式的10%,设备投资也将降低至40%。


佳能与铠侠、大日本印刷等半导体企业,从2017年就开始合作研发NIL的量产技术。目前已成功掌握15纳米量产技术,铠侠已经将NIL技术应用到了15nmNAND闪存器上,正在进行15纳米以下技术研发,有望在2025年推出采用NIL技术的5nm芯片。